Samsung идет на изготовление 30 нм памяти DDR-3

Фирмa Samsung-oдин из некоторых производителей полупроводниковых микросхем, заработок за это изобретение, по данным за 2009 год увеличился на много. Южно-корейский промышленный гигант в 2009 году, сообщается на сайте CNN уже превысил доход компании HP. Samsung в четвертом квартале 2009 года удалось вернуться к операционной рентабельности. В производстве полупроводниковых чипов от Samsung-это еще один огромный плюс — компания, набирающая обороты в развитии современных технологий литографии, и что он опережает своих соперников.

В то время, компания Samsung сообщила, что уже есть образцы dwuhvalentnykh чипсет Тип памяти DDR-3, сделанный по технологии 30 нм. С переходом на следующий этап технологического процесса, Samsung планирует сохранить в преимущество в производстве памяти. По сравнению с 40 нм технологии, современные технологии 30 нм способен увеличить производство на 60%. Сравнивая 50 нм и 60 нм памяти себестоимости продукции при переходе на техпроцесс 30 нм уменьшается в 2 раза, потребление энергии уменьшилось на 30%. Случается, что потребление только трех ватт в ноутбуке является последним модулем поколения DDR-3 4 ГБ на основе 30 нм , соответствующих трем процентов электроэнергии, необходимой для ноутбуков.

Выпускаемые Samsung 30 нм технологии Тип памяти DDR-3 способен работать в модули с номинальным напряжением 1,5 или 1,35 в. модули данных могут быть размещены в персональных компьютерах, ноутбуках и серверах. Крупнейшее производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии, Samsung предусмотрено, что после 6 месяцев этого года.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.