Южнокорейская компания Samsung полупроводника, подразделение «родитель» Samsung Electronics объявила о начале серийного производства первого в мире 40-нм микросхемы DDR3, и информационная емкость 2 ГБ. Новые чипы памяти характеризуются следующими параметрами: рабочее напряжение 1.35 Вольт, с пропускной способностью 1,6 ГБ/с. Использование устройства предполагается в качестве основы для формата памяти DIMM и слота SODIMM до 4 Гб, а также регистр памяти до 16 ГБ.
По словам разработчиков, их новые идеи от передовых интегральных схем для вычислительных систем различных уровней, вплоть до мощных серверов. Но, в то же время, на 40-нм чип ОЗУ выделиться из своих конкурентов уменьшенное потребление энергии, что является результатом перехода к большей точности процесс.
