Российские специалисты разрабатывают новые типы транзисторов


Российские специалисты разрабатывают новые типы транзисторов

Специалисты "Росэлектроники", входящей в госкорпорацию Ростех, разрабатывают перспективные транзисторы, которые будут применяться при создании новых образцов электронной техники. В качестве примера можно назвать транзисторы, в основе которых лежит нитрид галлия (GaN) и спиновые полевые транзисторы.

Первые будут входить в элементную базу различных блоков питания, адаптеров, средств мобильной и космической связи, т. к. они позволят значительно снизить массу изделий и повысить их эффективность. Кроме того, большой диапазон частот применения СВЧ-транзисторов предоставит новые возможности для увеличения трафика в сети мобильной связи, а их высокая радиационная стойкость позволит создавать новые средства космической связи.

Спиновые полевые транзисторы найдут применение в устройствах, обеспечивающих высокую скорость переключения между различными состояниями и небольшое энергопотребление.

Первые опытные образцы изделий на основе новых транзисторов могут появиться уже в 2017 году.


Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.