Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнoкoрeйскaя кoмпaния Samsung Electronics уже решили укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и начала с производства памяти в новой линейке-16 фабрики. Завод уже начал свою работу и заверения компании-крупнейшего в мире предприятия такого класса. Общая площадь 12-этажного здания фабрики составляет около 200000 кв. м. м., в то время как строительство было потрачено около 10 миллиардов долларов. Завод расположен в северо-западной части страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — городской комплекс Нано.

В настоящее время, линия-16 на заводе уже произведено памяти DRAM DDR3, который производится по 20-нм технологическому процессу. Таким образом, мощности предприятия позволяют реализовать и выпустить флэш-памяти. Именно поэтому с линии-16 запуск Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш-памяти.

Изготовлена по процессу 20-нанометровой памяти DDR3 от Samsung, по сравнению с чипами, сделанные в 30-нм технологии, можно сократить на 40% потребление энергии и увеличение производительности на 50%. Планируется начать производство чипов до 2-ГБ микросхем памяти DDR3 2xnm памяти, но до конца этого года Корпорация планирует наладить производство чипов на 4 Гб. На основе их будет производить модули памяти с высокой емкости — 16 и 32 ГБ.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.